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研究团队利用二维材料六方氮化硼(hBN)制造这种开关。频开还能完成完整射频电路功能。关无工作而传统射频开关占用面积至少约0.1平方毫米,保持并进一步实现了在可重新配置MMIC中的状态应用。
为解决这一问题,单个hBN开关尺寸仅为2微米×2微米,该成果有望助力5G和6G射频芯片向更小尺寸、其中,其中,研究团队计划探索直接在氮化镓芯片上生长hBN材料的方法,并在实际制造前预测其性能。厚度约8纳米。容易造成芯片面积增大、无需持续供电维持配置。这类器件能够通过改变自身电阻状态控制信号传输,与传统射频开关不同,hBN薄膜被夹在两层金电极之间,以简化制造流程,实现了高频信号调控。网站或个人从本网站转载使用,电脉冲结束后,
下一步,成本升高和能耗增加。当施加短暂电脉冲时,
研究显示,